2025年中國(guó)絕緣柵雙極晶體管行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈圖譜、發(fā)展歷程、發(fā)展現(xiàn)狀、競(jìng)爭(zhēng)格局、重點(diǎn)企業(yè)以及發(fā)展趨勢(shì)研判：隨著下游領(lǐng)域快速發(fā)展，IGBT需求量將持續(xù)增長(zhǎng) [圖]

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。它將MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT的優(yōu)點(diǎn)集于一身，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點(diǎn)。